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喜报:我院1966届半导体器件专业校友徐秋霞荣获2017年度国家技术发明二等奖
发布:2018-01-16 13:44:59    点击:12031

 

       2017年度国家科学技术奖励大会于2018年1月8日在人民大会堂开幕。党和国家领导人习近平等出席大会并为获奖人员颁奖。

       据悉,国家科学技术奖励每年评审一次,包括国家自然科学奖、国家技术发明奖、国家科学技术进步奖,即大家习惯说的“国家三大奖”。此外,还包括授予外籍科学家或外国组织的中华人民共和国国际科学技术合作奖,以及分量最重的国家最高科学技术奖。

       根据2017年5月最新发布的《关于深化科技奖励制度改革的方案》的有关规定,三大奖每年授奖总数不超过300项。

       我院1966届半导体器件专业校友徐秋霞在2005年获得国家技术发明二等奖的基础上,今年再次荣获2017年度国家技术发明二等奖。今年获奖内容是“22-14纳米集成电路器件工艺先导技术”。

 

简介:

       徐秋霞,1942年出生,浙江省余姚市人。1966年毕业于浙江大学无线电系。中国科学院微电子研究所研究员,博士生导师,中国科学院研究生院教授。

       中国科学院微电子研究所学术委员会和学位委员会委员。多次被评为先进工作者, 享受国务院颁发的政府特殊津贴。目前从事下一代集成电路新技术、新结构和新材料的研究及其器件应用。Senior Member of IEEE。 1966年毕业于浙江大学无线电系半导体器件专业;1996年5月—10月作为高级访问学者与美国加州大学伯克莱分校Chenming Hu教授合作研究成功应用于0.2微米 CMOS技术的Ti-硅化物工艺技术;1997年至2000年承担国家九五重大科技攻关专题“0.1微米级CMOS器件结构及性能研究”,为专题负责人,取得创新性重大成果,在国内率先研制成功性能优良的70纳米CMOS器件及栅长为100纳米的57级CMOS环形振荡器电路,器件性能和环形振荡器速度达到当时国际上同类工艺技术的先进水平。研究开发了8项新颖的、具有实用价值的工艺模块,并在关键技术突破的基础上于2003年在国内首次研制成功了性能优良的栅长 27纳米 CMOS器件和CMOS 32分频器电路及体硅FinFET,研制完成的栅长 27纳米CMOS器件在指标方面已与国际同类先进研究成果具有同步性。2010/2011年研制成功直径7nm/6nm体硅纳米线环栅N/P MOS器件,2014年研制成功高K金属栅全后栅CMOS器件和电路等。目前从事5纳米及以下新器件结构及技术研究。

 

获奖和论著 :

       至今徐秋霞获国内外发明专利授权 147 项,其中美国发明专利授权 43 项。有 163 项发明专利(含受理)转让/许可到多家重要IC企业(武汉新芯,中芯国际等)。她在高k金属栅技术领域以拥有发明专利族 60 族而位列专利发明人排序全球第 17 名,并有135项发明专利被IBM、Intel、格罗方德、台积电、三星、中芯国际等国内外半导体龙头企业他引 368 次,效益显著。先后获国家技术发明奖二等奖 2 项和国家科技进步奖二等奖 2 项 及省部级科技奖一、二等奖 12 项。 论文被四大检索收录 170 余篇,合作编著中英文著作 3 本。

 


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